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Analyse et technologie des surfaces
plaquage ionique utilisent le fait que la décharge arc produit une forte proportion de
métal ionisé, qui permet le plaquage sur la triode. Le sputter ion plating utilise deux
décharges luminescentes. En limitant le confinement du plasma à la surface de la
cible, on peut étendre cette décharge jusqu’aux substrats provoquant un importante
augmentation du courant de substrat (magnétrons déséquilibrés). Ces faits sont
résumés dans le tableau 16.10.
Tableau 16.10 Les procédés de plaquage ionique (les courants sont pour une surface de quelques m 2 ).
Tension
substrat
Courant
substrat
Degré de ionisation
de la matière
Décharge
source
Plaquage ionique diode
1-3 kV
< 1 A
1-2%
aucune
Evaporation réactivé activée
~1 kV
1-5A
40%
arc
Plaquage arc
50-150 V
20-50 A
90%
arc
Plaquage ionique
50-150 V
10-30 A
60%
arc
Sputter ion plating
60-200 V
1-10 A
5-10%
luminescente
V substrat
I substrat
V grille
I grille
V sputter
I sputter
sputter
ion plating
V arc
I arc
diode
évaporation
plaquage
plaquage
réactive activée
arc
ionique
–
–
–
–
+
+
+
+
Fig. 16.7 Configurations diode et triodes utilisées en plaquage ionique. Les trapèzes représentent des
creusets et les rectangles des cibles. La polarisation des substrats est quasiment toujours branchée de
la même façon indiquée. Elle peut être dc ou rf. Sa tension et son courant dépendent fortement de la
configuration. Les alimentations dc pour la grille, la cible du plaquage arc ou le filament du plaquage
ionique sont des alimenaions courants forts, tension faible. L’alimentation de la cible de pulvérisation cathodique est haute tension courant moyen, dc ou rf.
Analyse et technologie des surfaces
plaquage ionique utilisent le fait que la décharge arc produit une forte proportion de
métal ionisé, qui permet le plaquage sur la triode. Le sputter ion plating utilise deux
décharges luminescentes. En limitant le confinement du plasma à la surface de la
cible, on peut étendre cette décharge jusqu’aux substrats provoquant un importante
augmentation du courant de substrat (magnétrons déséquilibrés). Ces faits sont
résumés dans le tableau 16.10.
Tableau 16.10 Les procédés de plaquage ionique (les courants sont pour une surface de quelques m 2 ).
Tension
substrat
Courant
substrat
Degré de ionisation
de la matière
Décharge
source
Plaquage ionique diode
1-3 kV
< 1 A
1-2%
aucune
Evaporation réactivé activée
~1 kV
1-5A
40%
arc
Plaquage arc
50-150 V
20-50 A
90%
arc
Plaquage ionique
50-150 V
10-30 A
60%
arc
Sputter ion plating
60-200 V
1-10 A
5-10%
luminescente
V substrat
I substrat
V grille
I grille
V sputter
I sputter
sputter
ion plating
V arc
I arc
diode
évaporation
plaquage
plaquage
réactive activée
arc
ionique
–
–
–
–
+
+
+
+
Fig. 16.7 Configurations diode et triodes utilisées en plaquage ionique. Les trapèzes représentent des
creusets et les rectangles des cibles. La polarisation des substrats est quasiment toujours branchée de
la même façon indiquée. Elle peut être dc ou rf. Sa tension et son courant dépendent fortement de la
configuration. Les alimentations dc pour la grille, la cible du plaquage arc ou le filament du plaquage
ionique sont des alimenaions courants forts, tension faible. L’alimentation de la cible de pulvérisation cathodique est haute tension courant moyen, dc ou rf.