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Analyse et technologie des surfaces
moins prononcée. Par sélectivité nous entendons le dépôt préférentiel sur certains
matériaux par rapport à d’autres. La même considération s’applique au revêtement
lui-même. Au cas où le revêtement inhiberait le dépôt de matière supplémentaire
nous aurions un revêtement parfaitement continu mais d’une épaisseur très faible,
qu’on appellerait plutôt passivation.
Le terme inhibition dans ce contexte est phénoménologique. Les réactions chimiques sont toujours réversibles. Si le taux de déposition est plus faible que le taux
de décapage, on n’observe pas de dépôt net.
Les cas intéressants concernent bien sûr les substrats microcomposites avec une
structuration arbitraire ou confectionnée. Ces dernières sont caractéristiques pour la
microtechnologie, où la surface est structurée en zones avec des matériaux différents
par lithographie. L’emploi de dépôts sélectifs permet de boucher des trous, c’est-à-dire
de contacter les portes d’un MOSFET (fig. 12.5) qui sont gravées avec des rapports
profondeur/largeur toujours plus grands (fig. 15.11). Pour ceci on choisit des réactions
de dépôt de métal qui sont inhibées sur la silice mais qui procèdent avec un bon taux
sur le silicium.
L’alternance entre procédés sélectifs et procédés recouvrants permet donc la
synthèse de micro- et nanocomposites structurés.
Si la sélectivité est un avantage pour les dépôts en microélectronique, c’est un
problème important pour le dépôt CVD sur des surfaces techniques telles que les
aciers et les carbures cémentés. La sélectivité du dépôt résultera en une zone microporeuse à l’interface entre substrat et revêtement avec toutes les conséquences qui
en résultent pour les propriétés mécaniques.
15.8.5 CVD activé au plasma (Plasma Activated Chemical Vapour Deposition)
En CVD, le plasma est utilisé pour changer la composition du gaz en y ajoutant
des radicaux et des ions qui peuvent aussi réagir entre eux dans la phase gazeuse.
Fig. 15.11 Dépôt de tungstène par CVD sur un contact en microélectronique (par courtoisie de
Applied Materials). (a) Remplissage continu, (b) remplissage avec formation de tulipe au fond du trou.
(a)
(b)
Analyse et technologie des surfaces
moins prononcée. Par sélectivité nous entendons le dépôt préférentiel sur certains
matériaux par rapport à d’autres. La même considération s’applique au revêtement
lui-même. Au cas où le revêtement inhiberait le dépôt de matière supplémentaire
nous aurions un revêtement parfaitement continu mais d’une épaisseur très faible,
qu’on appellerait plutôt passivation.
Le terme inhibition dans ce contexte est phénoménologique. Les réactions chimiques sont toujours réversibles. Si le taux de déposition est plus faible que le taux
de décapage, on n’observe pas de dépôt net.
Les cas intéressants concernent bien sûr les substrats microcomposites avec une
structuration arbitraire ou confectionnée. Ces dernières sont caractéristiques pour la
microtechnologie, où la surface est structurée en zones avec des matériaux différents
par lithographie. L’emploi de dépôts sélectifs permet de boucher des trous, c’est-à-dire
de contacter les portes d’un MOSFET (fig. 12.5) qui sont gravées avec des rapports
profondeur/largeur toujours plus grands (fig. 15.11). Pour ceci on choisit des réactions
de dépôt de métal qui sont inhibées sur la silice mais qui procèdent avec un bon taux
sur le silicium.
L’alternance entre procédés sélectifs et procédés recouvrants permet donc la
synthèse de micro- et nanocomposites structurés.
Si la sélectivité est un avantage pour les dépôts en microélectronique, c’est un
problème important pour le dépôt CVD sur des surfaces techniques telles que les
aciers et les carbures cémentés. La sélectivité du dépôt résultera en une zone microporeuse à l’interface entre substrat et revêtement avec toutes les conséquences qui
en résultent pour les propriétés mécaniques.
15.8.5 CVD activé au plasma (Plasma Activated Chemical Vapour Deposition)
En CVD, le plasma est utilisé pour changer la composition du gaz en y ajoutant
des radicaux et des ions qui peuvent aussi réagir entre eux dans la phase gazeuse.
Fig. 15.11 Dépôt de tungstène par CVD sur un contact en microélectronique (par courtoisie de
Applied Materials). (a) Remplissage continu, (b) remplissage avec formation de tulipe au fond du trou.
(a)
(b)