Revêtements à partir d’une phase gazeuse (PVD/CVD)
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Tableau 15.2 Pressions partielles pour différentes températures dans le système Si-Cl-H,
pressions en bar.
La composition du gaz dans un réacteur CVD peut se modifier par l’interaction
du gaz avec les parois et les montages à l’intérieur du four ou dans les amenées de
gaz. Tous les matériaux employés peuvent devenir, à travers le décapage, matière de
dépôt – prévue ou parasite.
Mais le grand problème de la CVD est l’homogénéité de la composition dans
le réacteur ou sur les surfaces – pour être plus précis. Cette dernière est modulée par
rapport à la composition dans le volume par les phénomènes de transport dans
l’interphase, qui se forme entre le gaz en écoulement et la surface stationnaire.
Il est devenu pratique courante de simuler les distributions de réactifs dans les
réacteurs par des systèmes d’équations qui combinent les équations Navier-Stokes
pour le transport avec des équations de cinétique chimique. Des logiciels puissants
ont été développés à cette fin.
L’analyse de la composition par des spectromètres de masse est aussi fréquente. Le tableau 15.3 donne une illustration pour les changements de composition
entre l’alimentation de gaz et la composition dans le réacteur pour quelques réactions importantes.
Température
Rapport Cl/H
1000 1
0,628 0,0152 2,74E-01 8,01E-02 2,70E-03 5,05E-05 2,55E-07 1,99E-04
1000 0,1
0,939 0,0107 3,03E-02 1,88E-02 1,34E-03 5,33E-05 5,70E-07 6,62E-05
1000 0,01 0,99 0,0054 1,74E-02 2,26E-03 3,39E-04 2,83E-05 6,34E-07 1,59E-05
1000 0,001 0,998 0,00167 1,55E-05 6,58E-05 3,22E-05 8,78E-06 6,45E-07 1,50E-06
1200 1
0,6
0,058
2,61E-01 7,36E-02 2,92E-03 5,95E-05 3,43E-07 1,00E-05
1200 0,1
0,918 0,0397 2,44E-02 1,54E-02 1,37E-03 6,23E-05 8,02E-07 1,53E-03
1200 0,01 0,983 0,015
4,30E-04 7,72E-04 1,94E-04 2,52E-05 9,22E-07 2,03E-04
1200 0,001 0,998 0,00198 1,26E-07 1,74E-06 3,38E-06 3,37E-06 9,49E-07 3,49E-06
1400 1
0,537 0,138
2,16E-01 5,99E-02 2,63E-03 5,75E-05 3,64E-07 4,62E-02
1400 0,1
0,881 0,0863 1,22E-02 8,89E-03 1,03E-03 5,88E-05 9,77E-07 1,10E-02
1400 0,01 0,981 0,0185 2,07E-05 7,84E-05 4,71E-05 1,40E-05 1,21E-06 4,52E-04
1400 0,001 0,998 0,00198 2,66E-09 9,56E-08 5,44E-07 1,53E-06 1,25E-06 5,13E-06
p
H
2
p
HCl
p
SiCl
4
p
SiHCl
3
p
SiH
2 Cl
2
p
SiH
3 Cl
p
SiH
4
p
SiCl
2
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Tableau 15.2 Pressions partielles pour différentes températures dans le système Si-Cl-H,
pressions en bar.
La composition du gaz dans un réacteur CVD peut se modifier par l’interaction
du gaz avec les parois et les montages à l’intérieur du four ou dans les amenées de
gaz. Tous les matériaux employés peuvent devenir, à travers le décapage, matière de
dépôt – prévue ou parasite.
Mais le grand problème de la CVD est l’homogénéité de la composition dans
le réacteur ou sur les surfaces – pour être plus précis. Cette dernière est modulée par
rapport à la composition dans le volume par les phénomènes de transport dans
l’interphase, qui se forme entre le gaz en écoulement et la surface stationnaire.
Il est devenu pratique courante de simuler les distributions de réactifs dans les
réacteurs par des systèmes d’équations qui combinent les équations Navier-Stokes
pour le transport avec des équations de cinétique chimique. Des logiciels puissants
ont été développés à cette fin.
L’analyse de la composition par des spectromètres de masse est aussi fréquente. Le tableau 15.3 donne une illustration pour les changements de composition
entre l’alimentation de gaz et la composition dans le réacteur pour quelques réactions importantes.
Température
Rapport Cl/H
1000 1
0,628 0,0152 2,74E-01 8,01E-02 2,70E-03 5,05E-05 2,55E-07 1,99E-04
1000 0,1
0,939 0,0107 3,03E-02 1,88E-02 1,34E-03 5,33E-05 5,70E-07 6,62E-05
1000 0,01 0,99 0,0054 1,74E-02 2,26E-03 3,39E-04 2,83E-05 6,34E-07 1,59E-05
1000 0,001 0,998 0,00167 1,55E-05 6,58E-05 3,22E-05 8,78E-06 6,45E-07 1,50E-06
1200 1
0,6
0,058
2,61E-01 7,36E-02 2,92E-03 5,95E-05 3,43E-07 1,00E-05
1200 0,1
0,918 0,0397 2,44E-02 1,54E-02 1,37E-03 6,23E-05 8,02E-07 1,53E-03
1200 0,01 0,983 0,015
4,30E-04 7,72E-04 1,94E-04 2,52E-05 9,22E-07 2,03E-04
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1400 1
0,537 0,138
2,16E-01 5,99E-02 2,63E-03 5,75E-05 3,64E-07 4,62E-02
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p
H
2
p
HCl
p
SiCl
4
p
SiHCl
3
p
SiH
2 Cl
2
p
SiH
3 Cl
p
SiH
4
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SiCl
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