Profils en profondeur
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décapage multiplié par le taux d’ionisation, qui est déterminant pour le résultat
quantitatif. Pour un système binaire (A-B), on peut utiliser le rapport des concentrations en fonction du rapport des intensités mesurées ( ,
) de la manière
suivante:
(6.10)
D’une manière générale, on obtient donc une relation identique à (6.8), dans
laquelle il faut utiliser les rendements utiles comme facteurs de sensibilité relatifs.
Il y a deux situations pour lesquelles on peut appliquer l’équation (6.10) pour
la quantification par SIMS:
• Le cas (1) où un élément A se trouve en faible concentration dans une
matrice B, avec une différence de transmission η négligeable (η A = η B ). Le
rapport des rendements de décapage (Y B /Y A ) est en effet connu pour les éléments dans certaines matrices comme Si. Mentionnons que l’on trouve les
facteurs de sensibilité relative (Relative Sensitivity Factors RSF) dans la littérature spécialisée (par exemple [6.6]).
• Le cas (2) où on applique une postionisation d’un rendement similaire pour
deux ions ( ≈
). Cette condition est réalisable par une postionisation
résonante en utilisant une source laser avec une énergie précise pour une
ionisation spécifique [6.7].
6.6.3 Spectroscopie à décharge luminescente
Comme dans les autres spectroscopies, la quantification des profils pour la
spectroscopie à décharge luminescente GDOES (Glow Discharge Optical Emission
Spectroscopy) ou GDMS (Glow Discharge Mass Spectroscopy) introduite à la section 5.7 exige la conversion
• du temps de décapage en profondeur,
• de l’intensité en concentration.
En spectroscopie à décharge luminescente (SDL), on utilise une relation empirique qui relie la vitesse v A = v · ρ en (µg/cm 2 s) de décapage du matériau A au courant I p et la tension V g mesurée pendant le décapage
(6.11)
où C A est une constante du matériau A. V g dépend du potentiel entre l’anode et la
cathode (échantillon), mais aussi du seuil de décharge (threshold voltage) caractéristique du matériau A (fig. 5.12). Expérimentalement, on détermine v A soit par
perte de poids soit par une mesure de la profondeur du cratère par des méthodes discutées au chapitre 2. Pour le calcul de v, on applique (6.2).
I A
± I B
±
c A
c B
----- -
Y B γ B
±
Y A γ A
±
------------- -
I A
±
I B
±
----- -
⋅
=
γ A
±
γ B
±
v
C A I p V g
=
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décapage multiplié par le taux d’ionisation, qui est déterminant pour le résultat
quantitatif. Pour un système binaire (A-B), on peut utiliser le rapport des concentrations en fonction du rapport des intensités mesurées ( ,
) de la manière
suivante:
(6.10)
D’une manière générale, on obtient donc une relation identique à (6.8), dans
laquelle il faut utiliser les rendements utiles comme facteurs de sensibilité relatifs.
Il y a deux situations pour lesquelles on peut appliquer l’équation (6.10) pour
la quantification par SIMS:
• Le cas (1) où un élément A se trouve en faible concentration dans une
matrice B, avec une différence de transmission η négligeable (η A = η B ). Le
rapport des rendements de décapage (Y B /Y A ) est en effet connu pour les éléments dans certaines matrices comme Si. Mentionnons que l’on trouve les
facteurs de sensibilité relative (Relative Sensitivity Factors RSF) dans la littérature spécialisée (par exemple [6.6]).
• Le cas (2) où on applique une postionisation d’un rendement similaire pour
deux ions ( ≈
). Cette condition est réalisable par une postionisation
résonante en utilisant une source laser avec une énergie précise pour une
ionisation spécifique [6.7].
6.6.3 Spectroscopie à décharge luminescente
Comme dans les autres spectroscopies, la quantification des profils pour la
spectroscopie à décharge luminescente GDOES (Glow Discharge Optical Emission
Spectroscopy) ou GDMS (Glow Discharge Mass Spectroscopy) introduite à la section 5.7 exige la conversion
• du temps de décapage en profondeur,
• de l’intensité en concentration.
En spectroscopie à décharge luminescente (SDL), on utilise une relation empirique qui relie la vitesse v A = v · ρ en (µg/cm 2 s) de décapage du matériau A au courant I p et la tension V g mesurée pendant le décapage
(6.11)
où C A est une constante du matériau A. V g dépend du potentiel entre l’anode et la
cathode (échantillon), mais aussi du seuil de décharge (threshold voltage) caractéristique du matériau A (fig. 5.12). Expérimentalement, on détermine v A soit par
perte de poids soit par une mesure de la profondeur du cratère par des méthodes discutées au chapitre 2. Pour le calcul de v, on applique (6.2).
I A
± I B
±
c A
c B
----- -
Y B γ B
±
Y A γ A
±
------------- -
I A
±
I B
±
----- -
⋅
=
γ A
±
γ B
±
v
C A I p V g
=