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Analyse et technologie des surfaces
a été activé (lumière de 350 nm) à travers un masque (taille caractéristique du
maillage de la grille: 40 µm). L’échelle d’intensité de la figure 5.16 est une échelle
thermique, où les zones plus claires ont une intensité plus élevée. On distingue bien
entre les zones claires riches en 19 F – et les zone foncées correspondant à la présence
plus faible de la molécule MAD [5.17].
5.9 EXERCICES
5.9.1 Spectre TOF-SIMS: identifier les fragments à 76D, 104D, 149D, 191D du
polyéthylène téréphtalate (PET) de la figure 5.13 du monomère:
5.9.2 Calculer la fréquence de répétition d’un analyseur à temps de vol pour un spectre jusqu’à m = 1000 amu et une énergie d’accélération E cin = 3 keV à l’aide (5.11).
5.9.3 Déterminer m/z de Si 2 O + et de SiO 2
++ .
5.9.4 Quelle résolution en masse faut-il en SIMS pour distinguer 28 Si + de 56 Fe 2+ ?
5.9.5 Calculer le temps de vol pour 18 O et celui pour 181 Ta à l’aide de (5.11).
5.9.6 Quelle est la limite de dose en SIMS statique?
5.9.7 Quelle est la différence entre GDOES et GDMS?
5.9.8 Quelle est la résolution latérale de GDOES?
5.10 RÉSUMÉ
La spectrométrie de masse des ions secondaires SIMS mesure les produits atomiques ou moléculaires émis par un solide soumis au bombardement d’un faisceau
d’ions primaires de quelques keV. SIMS est la méthode d’analyse de surface qui
permet d’identifier tous les éléments et leurs isotopes, y compris l’hydrogène. Elle
se prête à l’analyse de tous les matériaux solides, conducteurs et isolants.
On distingue entre SIMS statique (surface) et SIMS dynamique (profils en profondeur). Par ailleurs, si on postionise les particules neutres émis, on obtient des
spectres et profils SNMS (Secondary Neutral Mass Spectrometry).
Analyse et technologie des surfaces
a été activé (lumière de 350 nm) à travers un masque (taille caractéristique du
maillage de la grille: 40 µm). L’échelle d’intensité de la figure 5.16 est une échelle
thermique, où les zones plus claires ont une intensité plus élevée. On distingue bien
entre les zones claires riches en 19 F – et les zone foncées correspondant à la présence
plus faible de la molécule MAD [5.17].
5.9 EXERCICES
5.9.1 Spectre TOF-SIMS: identifier les fragments à 76D, 104D, 149D, 191D du
polyéthylène téréphtalate (PET) de la figure 5.13 du monomère:
5.9.2 Calculer la fréquence de répétition d’un analyseur à temps de vol pour un spectre jusqu’à m = 1000 amu et une énergie d’accélération E cin = 3 keV à l’aide (5.11).
5.9.3 Déterminer m/z de Si 2 O + et de SiO 2
++ .
5.9.4 Quelle résolution en masse faut-il en SIMS pour distinguer 28 Si + de 56 Fe 2+ ?
5.9.5 Calculer le temps de vol pour 18 O et celui pour 181 Ta à l’aide de (5.11).
5.9.6 Quelle est la limite de dose en SIMS statique?
5.9.7 Quelle est la différence entre GDOES et GDMS?
5.9.8 Quelle est la résolution latérale de GDOES?
5.10 RÉSUMÉ
La spectrométrie de masse des ions secondaires SIMS mesure les produits atomiques ou moléculaires émis par un solide soumis au bombardement d’un faisceau
d’ions primaires de quelques keV. SIMS est la méthode d’analyse de surface qui
permet d’identifier tous les éléments et leurs isotopes, y compris l’hydrogène. Elle
se prête à l’analyse de tous les matériaux solides, conducteurs et isolants.
On distingue entre SIMS statique (surface) et SIMS dynamique (profils en profondeur). Par ailleurs, si on postionise les particules neutres émis, on obtient des
spectres et profils SNMS (Secondary Neutral Mass Spectrometry).