Spectrométries ioniques
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système SIMS et le SNMS est essentiellement la postionisation par plasma. On suppose que toutes les particules secondaires sont ionisées dans la chambre de plasma.
Le faisceau primaire provoque l’émission de particules secondaires. Une variante à
cette postionisation est l’ionisation par un faisceau de laser qui passe à une distance
de quelques millimètres parallèle à surface de l’échantillon.
L’intensité mesurée I A des particules après postionisation est reliée à la
concentration atomique c A par une équation identique à celle du SIMS (5.2) sauf
que
est remplacé par γ A,M [5.10], en supposant que toutes les particules
secondaires sont ionisées suite à l’émission des particules. Signalons que le rendement de décapage Y M d’un échantillon est la somme des rendements partiels des
éléments dans la matrice M:
(5.15)
Ainsi, dans le cas d’une postionisation non résonante avec
= f A c A γ A(M) η A ,
la quantification et le calcul des concentrations atomiques c A sont possibles à l’aide
des facteurs de sensibilité relative
établis avec des standards ( 0 ):
(5.16)
La technique SNMS se prête bien à l’analyse des couches minces jusqu’à des
épaisseurs de quelques micromètres dans le cas de canons ioniques à cathode
γ A M
,
±
Y M
Y i
i 1
=
n
∑
=
S A
0
S A
0
c A t
( )
I A /S A
0
I i /S i
0
i 1
=
n
∑
-------------------- -
=
S
IL
plasma
E
Fig. 5.11 Schéma d’un système de postionisation (SNMS) par plasma à gaz. Un faisceau primaire S
focalisé et balayé à travers la surface de l’échantillon E provoque l’émission des particules secondaires. IL est la lentille d’immersion à l’entrée de l’analyseur de masse (à comparer avec la fig. 5.7b).
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système SIMS et le SNMS est essentiellement la postionisation par plasma. On suppose que toutes les particules secondaires sont ionisées dans la chambre de plasma.
Le faisceau primaire provoque l’émission de particules secondaires. Une variante à
cette postionisation est l’ionisation par un faisceau de laser qui passe à une distance
de quelques millimètres parallèle à surface de l’échantillon.
L’intensité mesurée I A des particules après postionisation est reliée à la
concentration atomique c A par une équation identique à celle du SIMS (5.2) sauf
que
est remplacé par γ A,M [5.10], en supposant que toutes les particules
secondaires sont ionisées suite à l’émission des particules. Signalons que le rendement de décapage Y M d’un échantillon est la somme des rendements partiels des
éléments dans la matrice M:
(5.15)
Ainsi, dans le cas d’une postionisation non résonante avec
= f A c A γ A(M) η A ,
la quantification et le calcul des concentrations atomiques c A sont possibles à l’aide
des facteurs de sensibilité relative
établis avec des standards ( 0 ):
(5.16)
La technique SNMS se prête bien à l’analyse des couches minces jusqu’à des
épaisseurs de quelques micromètres dans le cas de canons ioniques à cathode
γ A M
,
±
Y M
Y i
i 1
=
n
∑
=
S A
0
S A
0
c A t
( )
I A /S A
0
I i /S i
0
i 1
=
n
∑
-------------------- -
=
S
IL
plasma
E
Fig. 5.11 Schéma d’un système de postionisation (SNMS) par plasma à gaz. Un faisceau primaire S
focalisé et balayé à travers la surface de l’échantillon E provoque l’émission des particules secondaires. IL est la lentille d’immersion à l’entrée de l’analyseur de masse (à comparer avec la fig. 5.7b).