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Chapitre 12 : Transport de charges electriques
rhenium ReO 3 , la mobilite des electrons varie de 2 300 cm^V^-s"
1
a 4,2 K, a 33 cm
2 • V"
1 • s^
1 a 300 K. La diminution de la mobilite electronique est due aux collisions entre les electrons et les ions qui
vibrent de plus en plus lorsque la temperature s'eleve. Cela se
traduit par un coefficient dp / dT > 0. On a porte, sur la figure 12.8,
1'evolution de la resistance electrique de la perovskite metallique
SrNbO 3 , dans laquelle le niobium a la structure d
1
.
Les oxydes semi-conducteurs possedent un coefficient dp/dT < 0.
C'est le cas de TiO 2 _ X) NiO 1+x ou CoO 1+x . On voit que la mobilite de
leurs porteurs est beaucoup plus faible que celle des electrons et
des trous des vrais semi-conducteurs cites dans le tableau 12.2.
Ainsi, on doit distinguer les « vrais » semi-conducteurs a large
bande, de type covalent, tels que Si, AsGa ou InSb, des oxydes
non-stoechiometriques comme TiO 2 _ x a liaison ionique et bande
etroite. Dans le premier cas, les bandes de valence et de conduction
sont tres larges (plusieurs eV), ce qui se traduit par des mobilites
elevees. Par contre, dans les oxydes non-stoechiometriques, la
bande de conduction, qui assure le deplacement des electrons
liberes lors de la formation des lacunes d'oxygene est tres etroite
et la mobilite de ces porteurs est devenue tres faible. Ces deux
families de composes se differencient fondamentalement par la
FlG. 12.8 - Resistance electrique d'un barreau de SrNbO 3 . La faible valeur de R
et son evolution avec la temperature caracterisent un comportement metallique.
Chapitre 12 : Transport de charges electriques
rhenium ReO 3 , la mobilite des electrons varie de 2 300 cm^V^-s"
1
a 4,2 K, a 33 cm
2 • V"
1 • s^
1 a 300 K. La diminution de la mobilite electronique est due aux collisions entre les electrons et les ions qui
vibrent de plus en plus lorsque la temperature s'eleve. Cela se
traduit par un coefficient dp / dT > 0. On a porte, sur la figure 12.8,
1'evolution de la resistance electrique de la perovskite metallique
SrNbO 3 , dans laquelle le niobium a la structure d
1
.
Les oxydes semi-conducteurs possedent un coefficient dp/dT < 0.
C'est le cas de TiO 2 _ X) NiO 1+x ou CoO 1+x . On voit que la mobilite de
leurs porteurs est beaucoup plus faible que celle des electrons et
des trous des vrais semi-conducteurs cites dans le tableau 12.2.
Ainsi, on doit distinguer les « vrais » semi-conducteurs a large
bande, de type covalent, tels que Si, AsGa ou InSb, des oxydes
non-stoechiometriques comme TiO 2 _ x a liaison ionique et bande
etroite. Dans le premier cas, les bandes de valence et de conduction
sont tres larges (plusieurs eV), ce qui se traduit par des mobilites
elevees. Par contre, dans les oxydes non-stoechiometriques, la
bande de conduction, qui assure le deplacement des electrons
liberes lors de la formation des lacunes d'oxygene est tres etroite
et la mobilite de ces porteurs est devenue tres faible. Ces deux
families de composes se differencient fondamentalement par la
FlG. 12.8 - Resistance electrique d'un barreau de SrNbO 3 . La faible valeur de R
et son evolution avec la temperature caracterisent un comportement metallique.