t
oxyde dont la teneur maximum en oxygene est 6,85, correspondant a
[Cay] = 2[V* 0 *1 = 0,30. Dans ces conditions, la temperature critique est voisine de 80 K, comme dans un YBa 2 Cu 3 O 7 _ x reduit a cette meme valeur de
x. Par centre, lorsque ce compose dope est reduit a O 6 , il est toujours
supraconducteur a 15 K, montrant que le dopage a eu lieu suivant
1'equilibre :
Remarque : Dans le cas des PZT dopes au Fe
3+
, ce processus n'aurait pu avoir lieu en milieu oxydant car tous les elements sont dans leur
etat d'oxydation maximum.
- BaBiO 3 .
BaBiO 3 est une perovskite dans laquelle le bismuth devrait avoir la
valence 4+. Cette valence n'existe pas dans cet element car elle se dismute en 3+ et 5+. Ce compose devient supraconducteur lorsqu'on substitue partiellement le baryum divalent par le potassium monovalent. La
compensation de charge se fait sur le bismuth, si bien que Ton a des
oxydes de formules Bai+ x K+Bi ots-xBiots+xOs- Le dopage par le potassium
a, en fait, un double role :
- il y a modification du nombre de porteurs de charges (trous lies au
Bi
5+
) ;
- le compose pur est distordu et le dopage conduit a une perovskite
plus symetrique, d'ou une conductivity electrique amelioree.
Cet oxyde est actuellement le supraconducteur sans cuivre possedant
la T c la plus elevee (30 K).
8.3 Substitution par un cation de valence superieure
Comme dans le cas precedent, le dopage le plus simple est celui des
semi-conducteurs. La substitution du silicium (3s
2
3p
2
) par le phosphore,
1'antimoine ou le bismuth (ns
2
np
3
) peut s'ecrire :
II y a un exces electronique dans le reseau du silicium. La bande de
valence, totalement pleine dans le silicium pur, ne peut accepter ces electrons qui doivent aller occuper les niveaux inferieurs de la bande de
conduction normalement vide. Cela se traduit par des niveaux occupes