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Fig. 18: Description d’un détecteur au GeHP ( Epely, 2005)
2.2.1.2. Alimentation haute tension
La haute tension (dynamique de 0 à ±5 ou 6 kV) permet de polariser le semi-conducteur afin
d’obtenir une zone désertée importante dans le cristal GeHP. En plusieurs circonstances
(réchauffement du cristal, absence des basses tensions sur le préamplificateur, perte de vide
dans le cryostat), il est impératif que cette polarisation soit coupée (Le petit et Granier, 2002).
Fig. 18: Description d’un détecteur au GeHP ( Epely, 2005)
2.2.1.2. Alimentation haute tension
La haute tension (dynamique de 0 à ±5 ou 6 kV) permet de polariser le semi-conducteur afin
d’obtenir une zone désertée importante dans le cristal GeHP. En plusieurs circonstances
(réchauffement du cristal, absence des basses tensions sur le préamplificateur, perte de vide
dans le cryostat), il est impératif que cette polarisation soit coupée (Le petit et Granier, 2002).